硅胶表面残余硅羟基的活性（酸性）、硅胶中的金属残留和硅胶表面的不均匀是导致极性化合物色谱峰型不对称，拖尾和重现性差的重要因素。博纳艾杰尔科技创新的硅胶双层表面处理技术，可有效克服上述导致极性化合物分离不佳的因素的影响。
博纳艾杰尔科技推出基于硅胶双层表面处理技术的强极性化合物hplc 分离的系统米乐网页的解决方案：venusil mp c18，venusil asb c18* 和venusil hilic 系列色谱柱，使得强极性化合物的分离不再是难题，您将获得空前的色谱体验。
硅胶双层表面处理技术原理如图1 所示，硅胶a 先用原硅酸酯b进行表面键合得到c，c 进一步水解为d，d 相对于初始的硅胶a，增加了一层新的表面（图1 中d 的虚框部分）。
新增加的表面层相比初始硅胶a 的表面层有如下优点：
1、新表面层硅羟基酸性大大降低（新增表面的硅羟基ph=5.2，普通硅胶羟基ph=3.5），硅羟基活性降低，对碱性化合物的二次保留
效应大大减弱，碱性化合物的峰型更加尖锐对称。
2、新表面层覆盖了初始硅胶中的金属残留，增加了硅胶表面纯度，屏蔽了残留金属对极性化合物的不利影响，峰型大大改善。
3、新表面层覆盖了硅胶微晶形成过程中导致的表面不均匀，使得硅胶表面更加均匀，重现性更佳。
4、新表面层具有更多的硅羟基，亲水性增加，可以使用100%水或缓冲盐作为流动相，方法开发灵活性大大增加。
图1 硅胶双层表面处理示意图
图2 venusil asb c18硅胶表面键合技术示意图
注：venusil asb c18 是在形成新的硅胶表面层上键合异丁基硅烷。